НАПИШИТЕ НАМ

X

В соответствии с Федеральным законом «О персональных данных» № 152-ФЗ от 27.07.2006 г. (далее – Закон) вы предоставляете ООО «СЕТЬ 868», местонахождение 350015, г. Краснодар, ул. Зиповская, 5, ИНН 2310189208, свое информированное и сознательное согласие на обработку персональных данных, включая все операции с персональными данными, предусмотренные п. 3 ст. 3 Закона. При этом такое согласие может быть отозвано в любое время, путем передачи в ООО «СЕТЬ 868» соответствующего уведомления.

Согласен на обработку указанных мною персональных данных.

КАК СТАТЬ ПАРТНЕРОМ

X

В соответствии с Федеральным законом «О персональных данных» № 152-ФЗ от 27.07.2006 г. (далее – Закон) вы предоставляете ООО «СЕТЬ 868», местонахождение 350015, г. Краснодар, ул. Зиповская, 5, ИНН 2310189208, свое информированное и сознательное согласие на обработку персональных данных, включая все операции с персональными данными, предусмотренные п. 3 ст. 3 Закона. При этом такое согласие может быть отозвано в любое время, путем передачи в ООО «СЕТЬ 868» соответствующего уведомления.

Согласен на обработку указанных мною персональных данных.

Батареи в мобильных устройствах смогут работать в 2,58 раза дольше

IBM и её партнёры по исследовательским альянсам Globalfoundries и Samsung разработали новый процесс по созданию транзисторов из кремниевых нанослотов, которые позволят использовать 5-нанометровые микросхемы. В результате увеличение производительности поможет ускорить когнитивные вычисления, интернет вещей, а так же приложения с интенсивным использованием данных, поставляемых в облака.

Новый техпроцесс позволяет разместить на кристалле 30 млрд транзисторов. Разработанный в позапрошлом году по 7-нанометровому техпроцессу кристалл включал около 20 миллиардов транзисторов. Сегодня передовые чипы — 10-нанометровые устройства с 10-15 млрд транзисторов. По сравнению с ними 5-нанометровые микросхемы имеют прирост быстродействия на 40 %, либо без увеличения быстродействия энергоэффективнее на 75 % (видео).